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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利建立OPC模型的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115202147B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210898557.6，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权建立OPC模型的方法是由敖振宇;曾鼎程设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本建立OPC模型的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种建立OPC模型的方法，包括：收集焦距能量矩阵数据；根据焦距能量矩阵数据建立光学模型；运用光学模型对光掩模进行仿真，获取曝光于芯片上的仿真ADI临界尺寸，将仿真ADI临界尺寸分为第一等级、第二等级和第三等级，并且记录第一等级、第二等级和第三等级分别对应的光掩模的位置为第一位置、第二位置和第三位置；根据光学模型计算光刻工艺窗口，在光刻工艺窗口下对芯片进行曝光；测量第一位置对应的曝光于芯片上的图形线条的实际ADI临界尺寸；根据所实际ADI临界尺寸建立OPC模型。减小了收集ADI临界尺寸测量的范围，减小测量的ADI临界尺寸的数量，提高建立的OPC模型的精度，并且还能提高生产效率。

本发明授权建立OPC模型的方法在权利要求书中公布了：1.一种建立OPC模型的方法，其特征在于，包括： 收集芯片曝光时的焦距能量矩阵数据； 根据所述焦距能量矩阵数据建立光学模型； 运用所述光学模型对光掩模进行仿真，获取曝光于芯片上的仿真ADI临界尺寸，将所述仿真ADI临界尺寸分为第一等级、第二等级和第三等级，并且记录所述第一等级、第二等级和第三等级分别对应的光掩模的位置为第一位置、第二位置和第三位置； 根据所述光学模型计算光刻工艺窗口，在所述光刻工艺窗口下对芯片进行曝光； 测量所述第一位置对应的曝光于芯片上的图形线条的实际ADI临界尺寸；以及 根据所实际ADI临界尺寸建立OPC模型； 将所述仿真ADI临界尺寸分为第一等级、第二等级和第三等级的方法包括： 根据所述光学模型导出最佳曝光距焦与影像位于光掩模下的成像距离的关系式； 求得所述关系式的归一化图像对数斜率；以及 如果归一化图像对数斜率大于第一设定值小于第二设定值，则将其对应的仿真ADI临界尺寸作为第一等级，如果归一化图像对数斜率大于第二设定值，则将其对应的仿真ADI临界尺寸作为第二等级，如果归一化图像对数斜率小于第一设定值，则将其对应的仿真ADI临界尺寸作为第三等级。

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