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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利减少NAND型闪存的栅极之间漏电的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312529B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210889589.X，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权减少NAND型闪存的栅极之间漏电的制造方法是由谭国志设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本减少NAND型闪存的栅极之间漏电的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种减少NAND型闪存的字线之间漏电的制造方法，包括：步骤一、提供完成了栅极结构制作的半导体衬底。步骤二、将晶圆装入到第一种类型FOUP中完成：步骤21、沉积镍铂合金。步骤22、进行第一次硅化退火工艺。步骤23、去除剩余镍铂合金。步骤三、将晶圆装入到第二种类型FOUP中完成：采用PECVD工艺生长第二介质层实现对第一沟槽封口并形成空气间隙。步骤四、将晶圆装入到第一种类型FOUP中完成：步骤41、进行第二次硅化退火工艺。步骤42、进行用于更换FOUP的第一次湿法清洗工艺。步骤五、将晶圆装入到第二种类型FOUP中并完成：对第二介质层进行第三次退火。本发明能防止存储单元的多晶硅控制栅连接形成的字线产生倾斜，从而能减少字线之间的漏电。

本发明授权减少NAND型闪存的栅极之间漏电的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种减少NAND型闪存的字线之间漏电的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一、提供完成了栅极结构制作的半导体衬底，所述半导体衬底为一晶圆；在闪存的存储区中形成有多个存储单元，各所述存储单元的栅极结构为第一栅极结构，所述第一栅极结构包括依次形成于所述半导体衬底表面的浮栅介质层、多晶硅浮栅、控制介质层和多晶硅控制栅；同一行的各所述存储单元的所述多晶硅控制栅连接在一起并作为字线； 在各所述第一栅极结构之间形成有第一沟槽，在所述第一沟槽的内侧表面形成有第一介质层； 步骤二、将所述晶圆装入到第一种类型FOUP中，通过所述第一种类型FOUP搬运所述晶圆来完成如下步骤： 步骤21、沉积镍铂合金，在所述存储区中，所述镍铂合金覆盖在所述多晶硅控制栅的顶部表面以及所述第一沟槽中的所述第一介质层的表面； 步骤22、进行生成第一镍金属硅化物的第一次硅化退火工艺，所述第一次硅化退火工艺使所述镍铂合金和所述多晶硅控制栅的硅反应形成分子式为Ni2PtSi的所述第一镍金属硅化物； 步骤23、去除所述第一镍金属硅化物表面以及所述第一镍金属硅化物外部未反应的剩余所述镍铂合金； 步骤三、将所述晶圆装入到第二种类型FOUP中，通过所述第二种类型FOUP搬运所述晶圆来完成如下步骤： 采用PECVD工艺生长第二介质层，在所述存储区中，所述第二介质层形成在所述第一镍金属硅化物表面，所述第二介质层还将所述第一沟槽封口并从而在所述第一沟槽内形成空气间隙； 步骤四、将所述晶圆装入到所述第一种类型FOUP中，通过所述第一种类型FOUP搬运所述晶圆来完成如下步骤： 步骤41、进行第二次硅化退火工艺，所述第二次硅化退火工艺将所述第一镍金属硅化物转化为分子式为NiPtSi的第二镍金属硅化物；所述第二次硅化退火工艺的温度高于所述第一次硅化退火工艺的温度； 步骤42、进行第一次湿法清洗工艺，所述第一次湿法清洗工艺为用于更换FOUP的清洗，所述第一沟槽封口的结构防止所述第一次湿法清洗工艺的刻蚀液进入到所述第一沟槽内部，并从而防止所述第一次湿法清洗工艺的刻蚀液对所述第一沟槽的内侧表面产生刻蚀作用而使所述第一栅极结构产生倾斜，从而减少所述字线之间的漏电； 步骤五、将所述晶圆装入到第二种类型FOUP中，通过所述第二种类型FOUP搬运所述晶圆来完成如下步骤： 对所述第二介质层进行第三次退火。

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