江西兆驰半导体有限公司胡加辉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种外延片制备方法、外延片及高电子迁移率晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148581B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210808421.1，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种外延片制备方法、外延片及高电子迁移率晶体管是由胡加辉;刘春杨;吕蒙普;金从龙设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种外延片制备方法、外延片及高电子迁移率晶体管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种外延片制备方法、外延片以及高电子迁移率晶体管，该制备方法包括提供一衬底；以氮气作为载气通入正己烷对所述衬底进行碳化，以在所述衬底上生长第一薄膜层，继续通入正己烷和硅烷以在所述第一薄膜层上生长第二薄膜层；依次在所述第二薄膜层上生长成核层、高阻缓冲层、沟道层、插入层、势垒层以及盖帽层；其中，所述第一薄膜层与第二薄膜层均为SiC层。本发明解决了现有技术中的外延片晶体质量差的问题。
本发明授权一种外延片制备方法、外延片及高电子迁移率晶体管在权利要求书中公布了：1.一种外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括： 提供一衬底； 以氮气作为载气通入正己烷对所述衬底进行碳化，以在所述衬底上生长第一薄膜层，继续通入正己烷和硅烷以在所述第一薄膜层上生长第二薄膜层； 依次在所述第二薄膜层上生长成核层、高阻缓冲层、沟道层、插入层、势垒层以及盖帽层； 其中，所述第一薄膜层与第二薄膜层均为SiC层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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