青岛科技大学李国倡获国家专利权
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龙图腾网获悉青岛科技大学申请的专利一种提高界面匹配特性的电缆及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115240913B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210781899.X,技术领域涉及:H01B9/02;该发明授权一种提高界面匹配特性的电缆及其制备方法是由李国倡;李雪静;魏艳慧;王兆琛;刘璐;雷清泉设计研发完成,并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高界面匹配特性的电缆及其制备方法在说明书摘要公布了:本申请公开了一种提高界面匹配特性的电缆及其制备方法,用以解决现有的电缆由于绝缘层与半导电层界面结合不紧密影响运行安全的技术问题。电缆包括:半导电层、绝缘层;所述半导电层设置于所述绝缘层的内部,且所述半导电层与所述绝缘层接触;所述绝缘层的接触界面上设置有第一纳米环层,所述第一纳米环层的材质与所述绝缘层的材质相同;所述半导电层的接触界面上设置有第二纳米环层,所述第二纳米环层的材质与所述半导电层的材质相同;所述半导电层与所述绝缘层通过所述第一纳米环层与所述第二纳米环层接触。
本发明授权一种提高界面匹配特性的电缆及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种提高界面匹配特性的电缆,其特征在于,所述电缆包括:半导电层、绝缘层; 所述半导电层设置于所述绝缘层的内部,且所述半导电层与所述绝缘层接触; 所述绝缘层的接触界面上设置有第一纳米环层,所述第一纳米环层的材质与所述绝缘层的材质相同; 所述半导电层的接触界面上设置有第二纳米环层,所述第二纳米环层的材质与所述半导电层的材质相同; 所述半导电层与所述绝缘层通过所述第一纳米环层与所述第二纳米环层接触; 所述电缆还包括石墨烯层,所述石墨烯层设置于所述半导电层与所述绝缘层之间; 所述石墨烯层的外侧接触界面通过所述第一纳米环层与所述绝缘层接触,所述石墨烯层的内侧接触界面通过所述第二纳米环层与所述半导电层接触; 所述石墨烯层采用纳米孔层状结构,所述纳米孔的孔径根据所述半导电层接触界面上的导电粒子突起直径确定,其中,所述导电粒子突起为不规则形状,所述纳米孔的孔径根据所述不规则形状的最大边长确定。
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