山西中科潞安半导体技术研究院有限公司张晓娜获国家专利权
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龙图腾网获悉山西中科潞安半导体技术研究院有限公司申请的专利一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210786457.4，技术领域涉及：H10H20/85；该发明授权一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法是由张晓娜设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法，所述深紫外LED倒装芯片包括LED外延片及设置在所述LED外延片上的n欧姆接触电极8和p欧姆接触电极9，所述p欧姆接触电极9呈现多支平行且均匀分布的波浪形状，所述n欧姆接触电极8相应包围在所述p欧姆接触电极9的周围，并且所述p欧姆接触电极9的面积与所述n欧姆接触电极8的面积相差在10％以内。其一方面大大增强了电流的横向扩展能力，减小了倒装结构电流密集集中拥堵的现象，极大地降低了芯片的工作电压；另一方面使光功率获得了增强；再一方面，其属于低电压、高光功率的芯片，热稳定性高，寿命也相应得到了提升。
本发明授权一种深紫外LED倒装芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种深紫外LED倒装芯片，其包括LED外延片及设置在所述LED外延片上的n欧姆接触电极（8）和p欧姆接触电极（9），其特征在于，所述p欧姆接触电极（9）呈现多支独立平行且均匀分布的波浪形状，所述n欧姆接触电极（8）相应包围在所述p欧姆接触电极（9）的周围，并且所述p欧姆接触电极（9）的面积与所述n欧姆接触电极（8）的面积相差在10%以内；所述n欧姆接触电极（8）和p欧姆接触电极（9）之间设有钝化层；所述n欧姆接触电极（8）具有多支独立平行且均匀分布的波浪形状的缺口。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山西中科潞安半导体技术研究院有限公司，其通讯地址为：047500 山西省长治市长治高新区漳泽新型工业园区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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