上海华力集成电路制造有限公司陈蓓获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210745905.6，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法是由陈蓓;商干兵;丁琳设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法，提供静态随机存储器电路并选择其中的第一、二测量点；分别以第一、二测量点的电压值为横坐标与纵坐标，在第一测量区间内分别改变第一、二测量点的电压值，分别测量其对应另一个测量点的电压值，得到相对称的第一、二电压曲线；获取第一、二电压曲线斜率变化率最快处的坐标，根据坐标设置小于第一测量区间的第二量测区间，之后在第二量测区间内分别改变第一、二测量点的电压值，分别测量其对应另一个测量点的电压值，得到相对称的第三、四电压曲线。本发明的测量方式可缩短测量时间，同时提高测量精度。
本发明授权测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法在权利要求书中公布了：1.一种测量静态随机存储器的静态噪声容限的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供静态随机存储器电路并选择其中的第一、二测量点； 步骤二、分别以所述第一、二测量点的电压值为横坐标与纵坐标，在第一测量区间内分别改变所述第一、二测量点的电压值，分别测量其对应另一个测量点的电压值，得到多组所述第一、二测量点对应的第一、二测量数据，之后根据所述第一、二测量数据得到相对称的第一、二电压曲线； 步骤三、获取所述第一、二电压曲线斜率变化率最快处的坐标，根据所述坐标设置小于所述第一测量区间的第二量测区间，之后在所述第二量测区间内分别改变所述第一、二测量点的电压值，分别测量其对应另一个测量点的电压值，得到多组所述第一、二测量点对应的第三、四测量数据，之后根据所述第一至四测量数据得到相对称的第三、四电压曲线； 步骤四、将所述第三、四电压曲线沿坐标原点逆时针翻转45度，定义翻转后所述第三、四电压曲线中的极大值点在Y轴方向相对另一电压曲线的距离为静态噪声容限。
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