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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利内容寻址存储器单元结构的版图获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210624910.1，技术领域涉及：G11C15/04；该发明授权内容寻址存储器单元结构的版图是由吴栋诚;范茂成设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本内容寻址存储器单元结构的版图在说明书摘要公布了：本发明提供一种内容寻址存储器单元结构的版图，包括传输管图形，传输管图形包括第一至第五传输管图形；下拉管图形，下拉管图形包括第一、二下拉管图形；上升管图形，上升管图形包括第一、二上升管图形；第一、四传输管图形和第一下拉管图形依次分布，且第一、四传输管图形、第一下拉管图形的有源区图形连在一起；第二下拉管图形、第五、三传输管图形依次分布，且第二下拉管图形、第五、二、三传输管图形的有源区图形连在一起；第一、二上升管图形分别设在第一下拉管图形、第一上升管图形的一侧，使得传输管图形、下拉管图形和上升管图形为非对称分布。本发明的版图运用了非对称版图结构，制造出的内容寻址存储器整体功耗更低。

本发明授权内容寻址存储器单元结构的版图在权利要求书中公布了：1.一种内容寻址存储器单元结构的版图，其特征在于，至少包括： 传输管图形，所述传输管图形包括第一至第五传输管图形； 下拉管图形，所述下拉管图形包括第一下拉管图形和第二下拉管图形； 上升管图形，所述上升管图形包括第一上升管图形和第二上升管图形； 所述传输管图形、所述下拉管图形和所述上升管图形中分别包括：有源区图形和横跨在所述有源区图形上的多晶硅图形；位于所述有源区图形上且分布在所述多晶硅图形一侧的接触孔图形； 所述第一传输管图形、所述第四传输管图形和所述第一下拉管图形依次分布，且所述第一传输管图形、所述第四传输管图形、所述第一下拉管图形的所述有源区图形连在一起；所述第二下拉管图形、所述第五传输管图形、所述第二传输管图形和所述第三传输管图形依次分布，且所述第二下拉管图形、所述第五传输管图形、所述第二传输管图形、所述第三传输管图形的所述有源区图形连在一起；所述第一上升管图形和所述第二上升管图形分别设在所述第一下拉管图形、所述第一上升管图形的一侧，使得所述传输管图形、所述下拉管图形和所述上升管图形为非对称分布。

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