五邑大学高武获国家专利权
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龙图腾网获悉五邑大学申请的专利一种MFS储存结构及其制备方法与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115020425B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210538285.9,技术领域涉及:H10B51/00;该发明授权一种MFS储存结构及其制备方法与应用是由高武;李星星;张昕;刘礼祥;张志伟设计研发完成,并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MFS储存结构及其制备方法与应用在说明书摘要公布了:本发明公开了一种MFS储存结构及其制备方法与应用。所述MFS储存结构,包括依次层叠设置的衬底、ZnO低温缓冲层、ZnO薄膜、Zn1‑xMxO薄膜和Zn1‑yMyO铁电薄膜;其中,M选自Mg、V、Sb、Y或Gd中的至少一种;其中,0<x≤0.4,0.3≤y≤0.6。所述MFS储存结构,构建了准同质外延集成体系,从而减少了薄膜界面缺陷、提高了铁电薄膜质量,提高铁电栅极调控沟道电流通断效率,实现了高性能铁电存储。
本发明授权一种MFS储存结构及其制备方法与应用在权利要求书中公布了:1.一种MFS储存结构,其特征在于: 包括依次层叠设置的衬底、ZnO低温缓冲层、ZnO薄膜、Zn1-xMxO薄膜和Zn1-yMyO铁电薄膜; 其中,M包括Mg、V、Sb、Y和Gd中的至少一种; 其中,0<x≤0.4,0.3≤y≤0.37。
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