南京大学郭慧获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利p-NiO或p-LiNiO/n-GaN异质结共振隧穿二极管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210525889.X，技术领域涉及：H10D8/70；该发明授权p-NiO或p-LiNiO/n-GaN异质结共振隧穿二极管及制备方法是由郭慧;王冠;邵鹏飞;巩贺贺;叶建东;王科;刘斌;陈敦军;张荣;郑有炓设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本p-NiO或p-LiNiO/n-GaN异质结共振隧穿二极管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种p‑NiO或p‑LiNiOn‑GaN异质结共振隧穿二极管，其结构包括：一衬底层；一生长于衬底层上的GaN层；一生长于GaN层上的n‑GaN层；一生长于n‑GaN层上的n+GaN层；一生长于n+GaN层上的n++GaN层；一生长于n++GaN层上的p++NiO层或者p++LiNiO层；一生长于p++NiO层上的p+NiO层；或者生长于p++LiNiO层上的p+LiNiO层；P型电极，设置在p+LiNiO层上；N型电极，设置在GaN层上。本发明器件结构中n++GaN与P++NiO的重掺杂使得pn异质结界面处的能带产生弯曲，使得零偏下p‑NiO的价带高于n‑GaN的导带，从而通过调节偏压实现载流子的共振隧穿。
本发明授权p-NiO或p-LiNiO/n-GaN异质结共振隧穿二极管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种p-NiO或p-LiNiO-GaN异质结共振隧穿二极管，其结构包括： 一衬底层； 一生长于衬底层上的GaN层； 一生长于GaN层上的n-GaN层； 一生长于n-GaN层上的n+GaN层； 一生长于n+GaN层上的n++GaN层； 一生长于n++GaN层上的p++NiO层或者p++LiNiO层； 一生长于p++NiO层上的p+NiO层；或者生长于p++LiNiO层上的p+LiNiO层； P型电极，设置在p+NiO或p+LiNiO层上； N型电极，设置在GaN层上。
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