北京知存科技有限公司王春明获国家专利权
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龙图腾网获悉北京知存科技有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210508900.1，技术领域涉及：H10B41/30；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王春明;王绍迪设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：衬底，包括存储器单元区域，存储器单元区域包括第一漏极区域、第一沟道区域和源极区域，第一沟道区域在第一漏极区域与源极区域之间延伸；第一浮置栅极，位于第一沟道区域的第一部分上方；第一擦除栅极，位于第一浮置栅极上方；第一选择栅极，位于第一沟道区域的第二部分上方，并且在第一浮置栅极的远离源极区域的一侧；第一编程通道，从第一漏极区域延伸到第一浮置栅极的面对第一选择栅极的边缘部位；第二编程通道，从第一漏极区域延伸到源极区域；以及第一擦除通道，从第一浮置栅极的面对第一擦除栅极的边缘部分延伸到第一擦除栅极。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，包括存储器单元区域，其中，所述存储器单元区域包括第一漏极区域、第一沟道区域和源极区域，其中，所述第一沟道区域在所述第一漏极区域与所述源极区域之间延伸； 第一浮置栅极，位于所述第一沟道区域的第一部分上方； 第一擦除栅极，位于所述第一浮置栅极上方； 第一选择栅极，位于所述第一沟道区域的第二部分上方，并且在所述第一浮置栅极的远离所述源极区域的一侧； 第一编程通道，从所述第一漏极区域延伸到所述第一浮置栅极的面对所述第一选择栅极的边缘部位； 第二编程通道，从所述第一漏极区域延伸到所述源极区域；以及 第一擦除通道，从所述第一浮置栅极的面对所述第一擦除栅极的边缘部分延伸到所述第一擦除栅极，所述第一擦除栅极面对所述衬底的宽度用于确定所述第一擦除栅极和所述第一浮置栅极之间的耦合面积。
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