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江西兆驰半导体有限公司管楚云获国家专利权

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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种Micro LED芯片阵列集成结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114759061B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210486808.X,技术领域涉及:H10H29/30;该发明授权一种Micro LED芯片阵列集成结构是由管楚云;简弘安;李文涛;顾伟;金从龙;胡加辉设计研发完成,并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

一种Micro LED芯片阵列集成结构在说明书摘要公布了:本发明提供一种MicroLED芯片阵列集成结构,所述结构包括:由X行Y列的MicroLED芯片所阵列组成的MicroLED芯片阵列;与每一列中X个MicroLED芯片的第一电极连接的Y列第一极性驱动线路;与每一行中Y个MicroLED芯片的第二电极连接的X行第二极性驱动线路;与每一列的第一极性驱动线路连接的Y个第一极性电极;与每一行的第二极性驱动线路连接的X个第二极性电极;及位于第一极性驱动线路和第二极性驱动线路之间的绝缘层。本发明解决了现有MicroLED芯片尺寸过小所导致的转移切割精度难控制、转移速度慢以及转移良率低的问题。

本发明授权一种Micro LED芯片阵列集成结构在权利要求书中公布了:1.一种MicroLED芯片阵列集成结构,其特征在于,包括: 由X行Y列的MicroLED芯片所阵列组成的MicroLED芯片阵列; 与每一列中X个所述MicroLED芯片的第一电极连接的Y列第一极性驱动线路; 与每一行中Y个所述MicroLED芯片的第二电极连接的X行第二极性驱动线路; 与每一列的所述第一极性驱动线路连接的Y个第一极性电极; 与每一行的所述第二极性驱动线路连接的X个第二极性电极;及 位于所述第一极性驱动线路和所述第二极性驱动线路之间的绝缘层,其中,所述绝缘层为第二绝缘层,所述第二绝缘层覆盖在MicroLED芯片阵列和第一极性驱动线路上,且第二极性驱动线路穿过绝缘层与第二电极连接; 所述MicroLED芯片包括: 衬底、位于所述衬底上的外延层以及位于所述外延层上的导电电极; 所述外延层包括在所述衬底上所依次设置的第一半导体层、发光层以及第二半导体层,所述第一半导体层的极性与所述第二半导体层的极性相反; 所述导电电极包括与所述第二半导体层电连接的第二电极; 设置第一极性驱动线路位于暴露的第一半导体层上与第一半导体层电性相连; 每一所述MicroLED芯片的边界处均设有用于隔离相邻所述MicroLED芯片的隔离沟槽; 所述隔离沟槽设于每列相邻的MicroLED芯片之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司,其通讯地址为:330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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