郑州合晶硅材料有限公司王文博获国家专利权
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龙图腾网获悉郑州合晶硅材料有限公司申请的专利一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210468116.2，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法是由王文博;张田田;吴泓明;钟佑生设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法，对待制作为所述外延片的基板进行热处理；所述热处理包括以下五个步骤：S1.在480～500℃保温20～40min；S2.以4～6℃min速率升温至780～800℃；S3.在780～800℃下保温10～20min；S4.以3～4℃min速率降温至480～500℃；S5.在480～500℃保温20～40min；步骤S1～S5在惰性气氛下进行。本申请通过对SRP径向分布不均匀外延片的重掺红磷基板进行热处理，有效改善了外延片径向SRP分布，解决了外延片径向SRP不均匀而导致的芯片BVdss分布异常的问题。
本发明授权一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善外延片面内电阻率均匀性的方法，其特征在于，对待制作为所述外延片的基板进行热处理；所述基板来自于重掺红磷晶棒头部位置，即晶棒0～200mm位置； 所述热处理包括以下五个步骤： S1.在480～500℃保温20～40min； S2.以4～6℃min速率升温至780～800℃； S3.在780～800℃下保温10～20min； S4.以3～4℃min速率降温至480～500℃； S5.在480～500℃保温20～40min； 步骤S1～S5在惰性气氛下进行； 热处理后的基板采用常规外延方法得到外延片。
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