杭州电子科技大学胡亮获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种通过小分子化学吸附调控二维磁性材料的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210462076.0，技术领域涉及：H01F1/00；该发明授权一种通过小分子化学吸附调控二维磁性材料的方法是由胡亮;周健;刘福浩;程李源;李领伟设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种通过小分子化学吸附调控二维磁性材料的方法在说明书摘要公布了：本发明属于二维磁性材料技术领域，涉及一种通过小分子化学吸附调控二维磁性材料的方法，包括以下步骤；步骤一，二维磁性材料的剥离与转移；步骤二，7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷TCNQ溶液的配制；步骤三，TCNQ分子的表面铺展。本发明利用二维材料表面的有机小分子吸附形成有机‑无机杂化复合物，提高了复合物的综合磁性能，解决了二维材料居里温度低，磁性调节可控性差等缺点，形成的复合物居里温度高，在自旋电子学领域有广阔的应用前景。
本发明授权一种通过小分子化学吸附调控二维磁性材料的方法在权利要求书中公布了：1.一种通过小分子化学吸附调控二维磁性材料的方法，其特征在于：包括以下步骤； 步骤一，二维磁性材料的剥离与转移：将二维磁性材料单晶充分洗涤，去除杂质，后通过机械剥离或液相剥离方法进行剥离，并将剥离的纳米片转移至具有氧化层的硅衬底上； 步骤二，TCNQ溶液配制：将TCNQ粉末溶解至N,N-二甲基甲酰胺或四氢呋喃溶剂中待用，通过移液枪吸取TCNQ溶液，缓慢滴在转移有纳米片的氧化硅片衬底上，使纳米片与TCNQ溶液充分接触； 步骤三，TCNQ分子的表面铺展：纳米片浸渍于TCNQ溶液中，利用洗耳球浓缩表面液滴；利用真空干燥箱干燥氧化硅片衬底表面液滴，去除残留溶剂并加速TCNQ分子铺展，所述二维磁性材料为二维铁锗碲材料。
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