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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利射频开关及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114823663B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210435369.X，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权射频开关及其制备方法是由孙华圳;蒙飞设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本射频开关及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种射频器件及其制备方法，包括：衬底，所述衬底具有沿第一方向依次排布的控制区、净空区和射频区，所述净空区沿第二方向延伸；控制器件和射频器件，分别位于所述控制区和所述射频区内的所述衬底上；若干隔离结构，沿所述第二方向并排分布在所述净空区的所述衬底上；介质层，位于所述衬底上，且顺形覆盖所述控制器件、所述射频器件及所述净空区剩余的所述衬底，所述介质层的介电常数大于所述隔离结构的介电常数。所述隔离结构可以减小所述控制器件与所述射频器件之间的电容耦合作用，从而减少信号间串扰，对信号产生较好的隔离效果。

本发明授权射频开关及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频开关，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有沿第一方向依次排布的控制区、净空区和射频区，所述净空区沿第二方向延伸； 控制器件和射频器件，均位于所述衬底上，且分别位于所述控制区和所述射频区内； 若干隔离结构，沿所述第二方向并排分布在所述净空区的所述衬底上，且在所述第一方向上至少覆盖部分所述净空区的所述衬底； 介质层，位于所述衬底上，且顺形覆盖所述控制器件、所述射频器件及所述净空区剩余的所述衬底，所述介质层的介电常数大于所述隔离结构的介电常数，其中，所述介质层包括多层堆叠的子介质层，形成所述介质层的步骤包括： 在所述衬底上依次形成子介质材料层，形成每层所述子介质材料层后，在所述控制区和所述射频区的所述子介质材料层中分别形成一金属连接件，所述控制区和所述射频区内的多个所述金属连接件堆叠并电性连接，以分别形成第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分分别将所述控制器件和所述射频器件引出； 形成任一所述金属连接件时，还同步形成金属互连线，所述金属互连线的两端分别延伸至电性连接所述第一部分和所述第二部分的任一所述金属连接件，所述第一部分、所述第二部分及所述金属互连线构成金属互连结构；以及， 刻蚀所述净空区上所述金属互连线外的所述子介质材料层，形成若干沿所述第二方向并排分布且露出所述衬底的开口，一层剩余的所述子介质材料层构成一层所述子介质层； 形成所述隔离结构的步骤包括： 在所述衬底上形成氮化层，所述氮化层顺形覆盖所述介质层的顶面及所述开口的内壁； 在所述开口内形成隔离材料层，所述隔离材料层至少充满所述开口，所述开口内的所述隔离材料层构成所述隔离结构。

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