友达光电股份有限公司陈奕宏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉友达光电股份有限公司申请的专利发光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210350163.7，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权发光元件是由陈奕宏;李佳安;林冠亨设计研发完成，并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光元件在说明书摘要公布了：一种发光元件，包括半导体结构、绝缘层、第一电极、第二电极及第三电极。半导体结构包括第一型半导体层、第二型半导体层及设置于第一型半导体层与第二型半导体层之间的有源层。绝缘层设置于半导体结构上。第一电极电性连接至第一型半导体层。第二电极电性连接至第二型半导体层。第一电极、第二电极及第三电极于结构上分离。第三电极至少具有第一部分。第三电极的第一部分设置于半导体结构的侧壁上，且绝缘层位于第三电极与半导体结构之间。
本发明授权发光元件在权利要求书中公布了：1.一种发光元件，包括： 一半导体结构，包括： 一第一型半导体层； 一第二型半导体层；以及 一有源层，设置于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间； 一绝缘层，设置于该半导体结构上； 一第一电极，电性连接至该第一型半导体层； 一第二电极，电性连接至该第二型半导体层；以及 一第三电极，其中该绝缘层位于该第三电极与该半导体结构之间，该第一电极、该第二电极及该第三电极于结构上分离，该第三电极至少具有一第一部分，且该第三电极的该第一部分设置于该半导体结构的一侧壁上； 至少一第一光学微结构，重叠于该有源层； 其中该第三电极具有一负偏压。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人友达光电股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号