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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利WAT测试结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883303B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210345474.4，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权WAT测试结构和方法是由张炜虎;仇峰;王珊珊设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本WAT测试结构和方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种WAT测试结构和方法，WAT测试结构包括：多个三区阵列单元，三区阵列单元包括具有第一掺杂类型的输入区和输出区以及具有第二掺杂类型的基区；基区分隔输入区与输出区，多个三区阵列单元的输入区和输出区之间具有不同的间隔尺寸；输入区接收电压输入信号，输出区输出电压输出信号；多个电压检测阵列单元，电压检测阵列单元与三区阵列单元一一对应，电压检测阵列单元接收电压输出信号并根据电压输出信号的大小输出对应的电流输出信号。本发明通过设置具有不同间隔尺寸的输入区和输出区，通过施加同一电压输入信号，判断PN结已导通的三区阵列单元的数量并表征PN结的耗尽层宽度范围。

本发明授权WAT测试结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种WAT测试结构，其特征在于，包括： 多个三区阵列单元，所述三区阵列单元包括具有第一掺杂类型的输入区和输出区以及具有第二掺杂类型的基区；所述基区分隔所述输入区与所述输出区，多个所述三区阵列单元的输入区和输出区之间具有不同的间隔尺寸；所述输入区接收电压输入信号，所述输出区输出电压输出信号； 多个电压检测阵列单元，所述电压检测阵列单元与所述三区阵列单元一一对应，所述电压检测阵列单元接收所述电压输出信号并根据所述电压输出信号的大小输出对应的电流输出信号；所述电流输出信号用于判断所述输入区与所述基区间PN结的数量； 其中，根据所述电流输出信号判断多个所述三区阵列单元中已导通的所述输入区与所述基区间PN结的数量为m；多个所述三区阵列单元中间隔尺寸最小的m个所述三区阵列单元中具有的最大间隔尺寸为所述输入区与所述基区间PN结的耗尽层宽度的推算最小值；多个所述三区阵列单元中间隔尺寸最小的m+1个所述三区阵列单元中具有的最大间隔尺寸为所述耗尽层宽度的推算最大值。

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