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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利像素阵列、图像传感器及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116939384B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210332551.2，技术领域涉及：H04N25/76；该发明授权像素阵列、图像传感器及其控制方法是由郭同辉;石文杰;邵泽旭设计研发完成，并于2022-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本像素阵列、图像传感器及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及像素阵列、图像传感器及其控制方法，通过六像素共享结构及其具体布局方式，可以有效提高像素中光电二极管面积的占有率，从而提升像素的光电转换量子效率，并且第一源跟随晶体管位于第一漂浮扩散有源区的两部分的中间位置，第二源跟随晶体管位于第二漂浮扩散有源区的两部分的中间位置，以使得第一、第二漂浮扩散有源区分别与第一、第二源跟随晶体管栅极的金属连接线较短，金属相关部分寄生电容较低，从而有效降低像素中漂浮扩散有源区的寄生电容，提高像素的光电转换增益，提升图像传感器采集的图像品质。

本发明授权像素阵列、图像传感器及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种像素阵列，其特征在于，包括阵列设置的多个像素组，每个所述像素组包括六个像素，所述六个像素包括六个感光像素单元以及连接的第一共享结构和第二共享结构，每个所述感光像素单元包括互相连接的光电二极管和传输晶体管，其中， 所述六个感光像素单元中的第一、第二以及第三感光像素单元共享所述第一共享结构；所述六个感光像素单元中的第四、第五以及第六感光像素单元共享所述第二共享结构；所述第一、第四、第五感光像素单元位于所述像素阵列的第m行并从左至右依次排列，所述第二、第三、第六感光像素单元位于所述像素阵列的第m+1行并从左至右依次排列；所述第三感光像素单元的传输晶体管的栅极与所述第四感光像素单元的传输晶体管的栅极连接； 其中，所述第一共享结构包括第一漂浮扩散有源区以及连接的第一复位晶体管和第一源跟随晶体管，所述第一漂浮扩散有源区包括相连接的第一部分和第二部分，所述第一源跟随晶体管位于所述第一、第二、第三及第四感光像素单元的光电二极管顶角交界处，所述第一复位晶体管位于所述第一、第二感光像素单元的光电二极管之间，所述第一漂浮扩散有源区的第一部分和第二部分分别位于所述第一源跟随晶体管沿行方向的两侧；和或所述第二共享结构包括第二漂浮扩散有源区以及连接的第二复位晶体管和第二源跟随晶体管，所述第二漂浮扩散有源区包括相连接的第一部分和第二部分，所述第二源跟随晶体管位于所述第三、第四、第五及第六感光像素单元的光电二极管顶角交界处，所述第二复位晶体管位于所述第五、第六感光像素单元的光电二极管之间，所述第二漂浮扩散有源区的第一部分和第二部分分别位于所述第二源跟随晶体管沿行方向的两侧。

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