绵阳京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司徐海峰获国家专利权
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龙图腾网获悉绵阳京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利显示基板及其制备方法和显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114759068B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210300640.9，技术领域涉及：H10K59/121；该发明授权显示基板及其制备方法和显示装置是由徐海峰;王子峰;王文涛;侯耀达;王利娜;曹鑫;谢艳春;张则瑞;胡静设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示基板及其制备方法和显示装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种显示基板，包括多个像素驱动电路；多个发光元件，与多个像素驱动电路一一对应连接；像素驱动电路包括驱动晶体管、阈值补偿晶体管、第一复位晶体管和数据写入晶体管；驱动晶体管的栅极连接阈值补偿晶体管和第一复位晶体管；驱动晶体管的第一极连接数据写入晶体管；驱动晶体管的第二极连接阈值补偿晶体管和发光元件；各晶体管都分别包括低温多晶硅有源区；且其第一极都分别包括第一重掺杂区，其第二极都分别包括第二重掺杂区；阈值补偿晶体管和或第一复位晶体管的第一极包括第一轻掺杂区，其第二极包括第二轻掺杂区；第一轻掺杂区位于第一重掺杂区与有源区之间；第二轻掺杂区位于第二重掺杂区与有源区之间。可改善沙砾mura。
本发明授权显示基板及其制备方法和显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：制备多个像素驱动电路； 制备多个发光元件； 制备所述像素驱动电路包括制备驱动晶体管、阈值补偿晶体管、第一复位晶体管和数据写入晶体管； 制备所述阈值补偿晶体管和或所述第一复位晶体管包括：形成低温多晶硅材料的有源层中间图形； 通过第一次掩膜工艺对所述有源层中间图形的相对两端的区域进行重掺杂，形成第一重掺杂区和第二重掺杂区； 通过第二次掩膜工艺对所述有源层中间图形的相对两端靠近所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区的区域进行轻掺杂，形成第一轻掺杂区、第二轻掺杂区和位于所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区之间的有源区。
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