南京邮电大学普勇获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210247344.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法是由普勇;付新;周双设计研发完成，并于2022-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法在说明书摘要公布了：一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，该方法利用二维铁电材料和去离子水的共同作用，通过施加门电压的方式，使得二维铁电材料和去离子水共同产生极化，使极化效应增强，共同作用于导电沟道，通过不同极化方向来调控沟道的电子掺杂浓度，从而改变沟道层的电阻大小，可使铁电场效应晶体管实现‘导通’和‘断开’的两种状态，对应于器件的低电阻态和高电阻态。由于去离子水的加入，使得极化效应大大增强了，器件的电阻率有很大的提高。
本发明授权一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维材料异质结的铁电场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 步骤S1：采用机械剥离法在洁净的衬底上制成二维石墨烯薄片； 步骤S2：采用机械剥离法在洁净的衬底上制成二维In2Se3薄片； 步骤S3：利用聚合物聚乙烯醇PVA薄膜粘取二维石墨烯薄片；将PVA和二维石墨烯薄片一起压在标记位置的衬底上；然后在去离子水中浸泡一段时间，去除PVA的同时仅保留二维石墨烯薄片的同时整个石墨烯薄片上都经过去离子水的浸泡，制成二维石墨烯薄片衬底复合层； 步骤S4：利用PVA薄膜粘取二维In2Se3薄片，将PVA和二维In2Se3薄片一起压制于步骤S3处理后的二维石墨烯薄片衬底复合层上，然后在去离子水中浸泡去除PVA，制成石墨烯和In2Se3异质结； 步骤S5：在步骤S4制成异质结衬底复合层上制作图案化的金属电极。
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