中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学王洪获国家专利权
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龙图腾网获悉中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学申请的专利基于Ti/Al/Ni/Cu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114927566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210153556.9，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权基于Ti/Al/Ni/Cu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法是由王洪;熊年贺;高升设计研发完成，并于2022-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于Ti/Al/Ni/Cu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于TiAlNiCu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法。所述电极包括在GaN基HEMT的外延层上表面的两端刻蚀区域从下到上依次排列的第一金属层Ti、第二金属层Al、第三金属Ni和第四金属层Cu。所述AlGaNGaN外延包括从下往上依次层叠的衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层。所述金属采用电子束蒸发方式沉积，所述电极的第三金属层Ni通过电子束蒸发倾斜沉积。所述电极的第三金属层Ni沉积在第二金属层Al的表面以及SiO2支撑层的侧壁上。所述电极的第三金属层Ni从底面和侧面包裹住第四金属层Cu。本发明采用Cu代替金属Au作为帽层，同时与低温退火工艺相结合，有利于减少Cu的扩散。相对于传统欧姆接触电极金属体系，本发明的欧姆接触电极有助于提高电极的导电性。
本发明授权基于Ti/Al/Ni/Cu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于TiAlNiCu的GaN基HEMT无金欧姆接触电极，其特征在于，包括在GaN基HEMT的外延层上表面的两端刻蚀区域从下到上依次排列的第一金属层Ti5、第二金属层Al6、第三金属层Ni7和第四金属层Cu8，且第四金属层Cu8位于第三金属层Ni7的内侧；AlGaNGaN外延层包括从下往上依次层叠的衬底1、GaN缓冲层2、GaN沟道层3和AlGaN势垒层4，在AlGaN势垒层4上方还设置有SiO2支撑层9；电极的金属层采用电子束蒸发沉积，所述电极的第三金属层Ni7通过电子束蒸发倾斜沉积。
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