爱思开海力士有限公司韩智宣获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利电子设备及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210141003.1，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权电子设备及其制造方法是由韩智宣;成镛宪;赵炳直设计研发完成，并于2022-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子设备及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种包括半导体存储器的电子设备以及用于制造该电子设备的方法。一种电子设备包括半导体存储器，该半导体存储器包括：第一线；第二线，该第二线被设置在第一线之上以与第一线间隔开；可变电阻层，该可变电阻层被设置在第一线与第二线之间；第一电极层，该第一电极层被设置在第一线与可变电阻层之间；以及第一氧化物层，该第一氧化物层被设置在可变电阻层与第一电极层之间，其中，第一电极层包括掺杂有第一元素的第一碳材料，以及其中，第一氧化物层包括第一元素的第一氧化物。
本发明授权电子设备及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种包括半导体存储器的电子设备，所述半导体存储器包括： 第一线； 第二线，所述第二线被设置在所述第一线之上而与所述第一线间隔开； 可变电阻层，所述可变电阻层被设置在所述第一线与所述第二线之间； 第一电极层，所述第一电极层被设置在所述第一线与所述可变电阻层之间；以及 第一氧化物层，所述第一氧化物层被设置在所述可变电阻层与所述第一电极层之间， 第二电极层，所述第二电极层被设置在所述第二线与所述可变电阻层之间；以及 第二氧化物层，所述第二氧化物层被设置在所述第二电极层与所述可变电阻层之间，以及 碳层，所述碳层介于所述第二氧化物层与所述可变电阻层之间，并且包括掺杂有第二元素的第二碳材料， 其中，所述第一电极层包括掺杂有第一元素的第一碳材料， 其中，所述第一氧化物层包括所述第一元素的第一氧化物， 其中，所述第二氧化物层包括所述第二元素的第二氧化物。
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