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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种跨阻放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114513174B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111671538.1，技术领域涉及：H03F3/16；该发明授权一种跨阻放大器是由王文强;宋子奇;田冀楠;臧光;吴勇;王东;何滇;张野;李晴;翟世奇;查梦凡设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种跨阻放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种跨阻放大器，包括：放大器以及与放大器相连接的压控电阻；增益控制电路，与压控电阻相连接，用于控制压控电阻两端的电压随着时间延长逐渐减小，放大器的放大增益随着时间延长逐渐增加。本发明中的装置，能够产生对近距离目标回波时间短的强回波光电流信号探测中具有低增益、大量程特性，而对远距离目标回波时间长的弱回波光电流信号探测中具有高增益、小量程特性，能够解决现有的对数放大器存在微弱信号回波下噪声较大而导致系统信噪比不足的问题，满足激光雷达接收机中大动态范围低噪声的指标要求。

本发明授权一种跨阻放大器在权利要求书中公布了：1.一种跨阻放大器，其特征在于，包括： 放大器以及与所述放大器相连接的压控电阻；所述放大器为共源共栅放大器，所述放大器包括第一CMOS管M1、第二CMOS管M2、第三CMOS管M3、第四CMOS管M4、第五CMOS管M5和第六CMOS管M6；所述第一CMOS管M1的源极和所述第二CMOS管M2的源极分别与第一电阻R1和第二电阻R2连接后接地，且所述第三CMOS管M3的源极和所述第四CMOS管M4的源极也接地；所述第三CMOS管M3的漏极与所述第五CMOS管M5的源极相连接，所述第四CMOS管M4的漏极与所述第六CMOS管M6的源极相连接；所述第一CMOS管M1的漏极、所述第二CMOS管M2的漏极、所述第五CMOS管M5的漏极和所述第六CMOS管M6的漏极分别串联第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5和第六点租R6后连接至电源； 所述压控电阻的一端与所述第一CMOS管M1的源极以及所述第三CMOS管M3的栅极相连接，另一端与所述第二CMOS管M2的源极以及所述第四CMOS管M4的栅极相连接； 所述第一CMOS管M1的源极和所述第二CMOS管M2的源极为所述放大器的输入端，所述第一CMOS管M1的漏极和所述第二CMOS管M2的漏极为所述放大器的输出端； 增益控制电路，与所述压控电阻相连接，用于控制所述压控电阻两端的电压随着时间延长逐渐减小，所述放大器的放大增益随着时间延长逐渐增加。

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