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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114910750B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111680464.8，技术领域涉及：G01R31/12；该发明授权基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置是由任明;王彬;李琛;王玥;关浩斌;陈荣发;余家赫;李乾宇;张洪源设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置在说明书摘要公布了：公开了基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置，方法中，采集检测视场的可见光图像，按照n×n雪崩光电二极管阵列的各单元对应位置对可见光图像进行区域分割形成视场分割区域，使用镜头远焦模式对检测视场进行全局扫描，放电光子的放电点落在雪崩光电二极管阵列的某一像元上，当雪崩光电二极管阵列中的单元响应强度超过噪声阈值时，判定视场分割区域有放电正在发生，并选择像元的对应区域为放电源的初筛区域；将镜头对准初筛区域，使用镜头近焦模式对放电光子进行二次检测，记录雪崩光电二极管阵列每一个像元的响应强度；计算相邻2×2像元阵列的强度之和，并搜索最大的相邻2×2像元位置；通过矢量叠加算法求解放电点的位置坐标。

本发明授权基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种基于稀疏像元强度矢量分析的放电定位成像方法，其特征在于，其包括以下步骤： 第一步骤，采集检测视场的可见光图像，按照n×n雪崩光电二极管阵列的各单元对应位置对可见光图像进行区域分割形成视场分割区域，使用镜头远焦模式对检测视场进行全局扫描，放电光子的放电点落在雪崩光电二极管阵列的某一像元上，当雪崩光电二极管阵列中的单元响应强度超过噪声阈值时，判定所述视场分割区域有放电正在发生，并选择所述像元的对应区域为放电源的初筛区域； 第二步骤，将镜头对准所述初筛区域，使用镜头近焦模式对放电光子进行二次检测，记录雪崩光电二极管阵列每一个像元的响应强度； 第三步骤，计算相邻2×2像元阵列的强度之和，并搜索最大的相邻2×2像元位置，搜索最大的相邻2×2像元阵列位置时，对雪崩光二极管阵列中每个相邻2×2像元的强度之和进行计算，得到，a=1:n-1,b=1:n-1，计算相邻2×2像元强度和的最大值的像元； 第四步骤，通过矢量叠加算法求解放电点的位置坐标，其中，以像元的响应强度为矢量的长度，通过像元坐标与最大的相邻2×2像元构成的正方形的中心位置确定矢量方向，生成矢量图并进行矢量相加以确定放电点的位置，其中，以像元构成的正方形的几何中心为原点，以对角线为轴，建立直角坐标系X-Y；以2×2像元的强度在直角坐标系中建立矢量，并计算得到矢量和的对应坐标位置作为放电点的位置。

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