济南晶正电子科技有限公司李真宇获国家专利权
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龙图腾网获悉济南晶正电子科技有限公司申请的专利一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284135B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111585905.6，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件是由李真宇;杨超;孔霞;刘亚明;韩智勇;陈明珠;郑珊珊;姜传晓设计研发完成，并于2021-12-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件。其中复合衬底的制备方法包括：通过先在衬底上制备第一多晶硅薄膜层，然后通过第一次退火使第一多晶硅薄膜层的晶粒进一步长大获得多晶硅晶籽层，在多晶硅晶籽层上继续制备第二多晶硅薄膜层，改善因晶格匹配度低导致的衬底层对晶粒的影响，提高晶格匹配度，减少第一多晶硅薄膜层和第二多晶硅薄膜层中晶格大小的差异，提高多晶硅层的电阻均匀性。同时，通过对第二多晶硅薄膜层进行第二次退火处理，可以抑制后续高温工艺阶段多晶硅晶粒的重构程度，减少多晶硅晶格大小差异，得到一种靠近衬底层与绝缘层处晶粒尺寸大且分布均匀的多晶硅层。
本发明授权一种复合衬底的制备方法、复合衬底以及电子元器件在权利要求书中公布了：1.一种复合衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 第一工艺温度下，在支撑衬底上制备第一多晶硅薄膜层； 对得到的第一多晶硅薄膜层进行第一次退火处理，得到多晶硅晶籽层； 第一工艺温度下，对所述多晶硅晶籽层上制备第二多晶硅薄膜层； 在第二多晶硅薄膜层上制备绝缘层，以及，在所述绝缘层上制备有源层，得到复合衬底； 其中，所述第一次退火处理温度高于第一工艺温度； 其中，所述绝缘层为第二多晶硅薄膜层中部分被氧化得到的二氧化硅层；未被氧化的第二多晶硅薄膜层与晶籽层形成多晶硅层。
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