山东科技大学袁方获国家专利权
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龙图腾网获悉山东科技大学申请的专利一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111436790.4，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器及制备方法是由袁方;李玉霞;李少岩;邓玥;张鹏设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器的制备方法，属于半导体薄膜领域。该忆阻器自下而上依次为衬底、下电极、阻变层和上电极，阻变层材料采用TixOy掺入Cu的TixOy‑Cuz薄膜。TixOy薄膜中掺入Cu是由于Cu作为一种过渡金属，其离子半径与TixOy中Ti离子的半径相近，TixOy掺入Cu后，TixOy的能带能够包含Cu的能带边缘，有利于捕获TixOy激发出的光生电子，从而改变TixOy薄膜忆阻器的性能；此方法制备的忆阻器具有性能稳定、重复性好等优点，在未来半导体薄膜领域具有很好的应用前景。
本发明授权一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Cu掺杂的TixOy薄膜忆阻器，其特征在于，自下而上依次设置为衬底、下电极、阻变层、上电极，阻变层材料采用TixOy掺入Cu的TixOy-Cuz薄膜，在TixOy-Cuz中1x5，2y7，0.2z0.6；下电极的厚度为100nm～200nm，上电极的厚度为20nm～100nm，阻变层的厚度为100nm～700nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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