厦门半导体工业技术研发有限公司康赐俊获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门半导体工业技术研发有限公司申请的专利一种填充方法及设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114220763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111392537.3,技术领域涉及:H01L21/762;该发明授权一种填充方法及设备是由康赐俊;邱泰玮;沈鼎瀛;单利军;刘宇;张雅君设计研发完成,并于2021-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种填充方法及设备在说明书摘要公布了:本发明实施例公开了一种填充方法,应用于元件,元件至少为两个,元件连接在衬底层上,两个相邻的元件与衬底层围合形成有一个第一凹槽区域,方法包括:获取与第一凹槽区域对应的第一深宽比;当第一深宽比超过指定阈值的情况下,在第一凹槽区域中沉积与第一深宽比对应的第一填充层,以使元件与第一填充层围合形成第二凹槽区域;获取与第二凹槽区域对应的第二深宽比;当第二深宽比不超过指定阈值的情况下,沉积第一覆盖层,以使第一覆盖层和第一填充层将元件完全覆盖。
本发明授权一种填充方法及设备在权利要求书中公布了:1.一种填充方法,其特征在于,应用于元件(1),所述元件(1)至少为两个,所述元件(1)连接在衬底层(2)上,两个相邻的所述元件(1)与所述衬底层(2)围合形成有一个第一凹槽区域(3),所述方法包括: 获取与所述第一凹槽区域(3)对应的第一深宽比; 当所述第一深宽比超过指定阈值的情况下,在所述第一凹槽区域(3)中沉积与第一深宽比对应的第一填充层(31),以使所述元件(1)与所述第一填充层(31)围合形成第二凹槽区域(4);其中,根据所述第一深宽比的指定比例确定所述第一填充层(31)的尺寸,所述第一深宽比和所述指定比例呈反比; 获取与所述第二凹槽区域(4)对应的第二深宽比; 当所述第二深宽比不超过指定阈值的情况下,沉积第一覆盖层(33),以使所述第一覆盖层(33)和所述第一填充层(31)将元件(1)完全覆盖。
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