中国科学技术大学陆亚林获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学技术大学申请的专利一种多态磁性存储器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068805B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111355394.9，技术领域涉及：H10N50/20；该发明授权一种多态磁性存储器件及制备方法是由陆亚林;吴清梅;傅正平;崔璋璋;王建林;黄浩亮;黄秋萍设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多态磁性存储器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种多态磁性存储器件及制备方法，该多态磁性存储器件是基于范德瓦尔斯异质结的自旋阀器件，主要由第一磁性层、非磁性层、第二磁性层以及绝缘层叠加构成范德瓦尔斯异质结。该范德瓦尔斯异质结中，在第一磁性层与非磁性层界面处和第二磁性层与非磁性层界面处，引入相反极化方向的自旋积累能够打破原先简并的电子输运状态，从而在电学探测时完整地呈现出四个电阻态。由于四个磁性状态对应四个不同的电阻态，所以可以进一步实现对两个磁性层的四种磁性状态的电学探测，并且通过外电场能够调控四个态的大小和窗口，最终实现在一个存储单元中的多态存储。
本发明授权一种多态磁性存储器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多态磁性存储器件，其特征在于，所述多态磁性存储器件包括： 衬底； 位于所述衬底一侧的底电极，所述底电极包括第一底电极与第二底电极； 位于所述第一底电极背离所述衬底一侧的第一磁性层； 位于所述第一磁性层背离所述衬底一侧的非磁性层； 位于所述非磁性层背离所述衬底一侧的第二磁性层，所述第二磁性层在第一方向上延伸覆盖所述第二底电极；所述第一磁性层与所述第二磁性层的材料相同，且为范德瓦尔斯铁磁金属薄膜；所述第一方向平行于所述衬底所在平面，且由所述第一底电极指向所述第二底电极；所述第二磁性层包括铁磁层和反铁磁层；所述第二磁性层包括第一部分，所述第一部分位于所述第二底电极背离所述第一底电极一侧； 位于所述第一部分背离所述衬底一侧的绝缘层； 位于所述绝缘层背离所述衬底一侧的顶电极。
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