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龙图腾网获悉东华隆股份有限公司申请的专利皮膜形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116669864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180086183.1，技术领域涉及：C23F11/00；该发明授权皮膜形成方法是由田辺崇臣;河内诚一朗;桧山耕作设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本皮膜形成方法在说明书摘要公布了：本发明的皮膜形成方法包括：第一工序，在金属基材2的表面2a涂布含有聚硅氮烷的第一溶液，通过加热所述第一溶液使其进行二氧化硅转化，而在所述金属基材2的表面2a形成具有开口缺陷部3的第一皮膜1；以及第二工序，在所述第一皮膜1的表面1a涂布含有聚硅氮烷的第二溶液而使其填充到开口缺陷部3，通过以较所述第一工序的加热温度低的温度加热所述第二溶液使其进行二氧化硅转化，而在所述第一皮膜1的表面1a形成第二皮膜5。

本发明授权皮膜形成方法在权利要求书中公布了：1.一种皮膜形成方法，包括： 第一工序，在金属基材的表面涂布仅含有全氢聚硅氮烷作为聚硅氮烷的第一溶液，通过以超过所述第一溶液中聚硅氮烷的二氧化硅转化温度的温度加热所述第一溶液使其进行二氧化硅转化，而在所述金属基材的表面形成表面具有开口缺陷部的第一皮膜；以及 第二工序，在所述第一皮膜的表面涂布仅含有全氢聚硅氮烷作为聚硅氮烷的第二溶液而使其填充到所述开口缺陷部，通过以所述第二溶液中聚硅氮烷的二氧化硅转化温度以上且较所述第一工序的加热温度低的温度加热所述第二溶液使其进行二氧化硅转化，而在所述第一皮膜的表面以及至少表面的所述开口缺陷部形成致密二氧化硅的第二皮膜， 在所述第一溶液不含有催化剂的情况下，所述第一溶液中聚硅氮烷的二氧化硅转化温度为300℃～550℃， 在所述第一溶液含有金属催化剂的情况下，所述第一溶液中聚硅氮烷的二氧化硅转化温度为120℃～350℃， 在所述第一溶液含有胺系催化剂的情况下，所述第一溶液中聚硅氮烷的二氧化硅转化温度为室温～250℃， 在所述第二溶液不含有催化剂的情况下，所述第二溶液中聚硅氮烷的二氧化硅转化温度为300℃～550℃， 在所述第二溶液含有金属催化剂的情况下，所述第二溶液中聚硅氮烷的二氧化硅转化温度为120℃～350℃， 在所述第二溶液含有胺系催化剂的情况下，所述第二溶液中聚硅氮烷的二氧化硅转化温度为室温～250℃。

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