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龙图腾网获悉南瑞联研半导体有限责任公司申请的专利一种屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242786B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111325349.9，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法是由王鑫;李宇柱;骆健设计研发完成，并于2021-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法，包括：形成于第一掺杂类型的半导体衬底中的若干沟槽结构，沟槽结构包括顶部沟槽和深沟槽，顶部沟槽位于深沟槽两侧；顶部沟槽内设有栅介质层并填充多晶硅栅；深沟槽的底部表面和侧面形成有所述源极介质层，在深沟槽中填充下段多晶硅和若干间隔的上段多晶硅，上段多晶硅和下段多晶硅之间设置源极介质层、若干上段多晶硅之间也设置源极介质层；顶部沟槽内的多晶硅栅通过第一接触孔连接到栅极；深沟槽内的上段多晶硅通过第二接触孔连接到发射极或栅极。优点：通过在深沟槽自由选择将上段多晶硅电性连接至栅极或者发射极，使得该器件的各极间电容调节非常灵活，能够使得器件的EMI有效降低。

本发明授权一种屏蔽栅型IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅型IGBT器件，其特征在于，包括： 形成于第一掺杂类型的半导体衬底（10）中的若干沟槽结构，所述沟槽结构包括顶部沟槽（22）和深沟槽（30），所述顶部沟槽（22）位于深沟槽（30）两侧，所述顶部沟槽（22）和所述深沟槽（30）相联通；所述顶部沟槽（22）内设有栅介质层（24）并填充多晶硅栅（25）；所述深沟槽（30）的底部表面和侧面形成有第一源极介质层（31），在深沟槽（30）中填充下段多晶硅和上段多晶硅，上段多晶硅和下段多晶硅之间设置第二源极介质层（43），所述上段多晶硅为自定义多晶硅（44），所述下段多晶硅为源极多晶硅（32）； 在半导体衬底（10）的顶部形成有第二导电类型的体区（50），以及在所述体区（50）的顶部形成有第一导电类型的发射极区（51）；第一导电类型的发射极区（51）的顶部形成有层间膜（60），层间膜（60）的顶部形成有正面金属层（62），所述正面金属层（62）上刻蚀有发射极以及栅极； 在所述半导体衬底（10）的底部形成有第二导电类型的集电极区（63）； 所述顶部沟槽（22）内的多晶硅栅（25）通过第一接触孔（61）连接到栅极； 所述深沟槽（30）内的上段多晶硅通过第二接触孔（65）连接到发射极或栅极； 所述上段多晶硅的长度和深度依据目标电容的大小进行设置。

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