意法半导体(鲁塞)公司P·福尔纳拉获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司申请的专利包括金属-绝缘体-金属型电容结构的集成电路和对应制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111293333.4，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权包括金属-绝缘体-金属型电容结构的集成电路和对应制造方法是由P·福尔纳拉;R·西莫拉设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括金属-绝缘体-金属型电容结构的集成电路和对应制造方法在说明书摘要公布了：一种集成电路包括半导体衬底、在衬底正面上方的导电层、第一金属层级中的第一金属轨道、以及位于导电层与第一金属层级之间的金属前电介质区域。金属‑绝缘体‑金属型电容结构位于金属前电介质区域内的沟槽中。该电容结构包括与导电层电连接的第一金属层、与第一金属轨道电连接的第二金属层、以及在第一金属层与第二金属层之间的电介质层。
本发明授权包括金属-绝缘体-金属型电容结构的集成电路和对应制造方法在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括： 半导体衬底； 导电层，在所述半导体衬底的正面上方； 第一金属轨道，在第一金属层级中； 电介质区域，位于所述导电层与所述第一金属层级之间；以及 至少一个金属-绝缘体-金属电容结构，位于在所述电介质区域内的沟槽开口中，所述至少一个金属-绝缘体-金属电容结构包括： 第一金属层，被配置成与所述导电层电连接， 第二金属层，被配置成与所述第一金属轨道电连接，以及 电介质层，在所述第一金属层与所述第二金属层之间； 在所述导电层与所述半导体衬底之间电绝缘的电介质界面，其中所述导电层和所述电介质界面被配置成与所述半导体衬底形成金属-氧化物-半导体类型的电容结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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