长鑫存储技术有限公司胡华获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种密封环、堆叠结构及密封环的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093030B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111269355.7，技术领域涉及：H01L23/10；该发明授权一种密封环、堆叠结构及密封环的制作方法是由胡华设计研发完成，并于2021-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种密封环、堆叠结构及密封环的制作方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种密封环、堆叠结构及密封环的制作方法，其中，所述密封环设置于芯片器件区的外围；所述密封环包括内环结构、中环结构和外环结构；所述中环结构通过掺杂阱与所述器件区相连；所述掺杂阱位于所述内环结构和所述中环结构对应的部分衬底中，且所述掺杂阱与所述内环结构相互隔离。
本发明授权一种密封环、堆叠结构及密封环的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种密封环，其特征在于，所述密封环设置于芯片器件区的外围，所述密封环包括：内环结构、中环结构和外环结构； 其中，所述中环结构通过掺杂阱与所述器件区相连；所述掺杂阱位于所述内环结构和所述中环结构对应的部分衬底中，且所述掺杂阱与所述内环结构相互隔离； 所述器件区设置有测试电路，所述中环结构通过所述掺杂阱与所述测试电路电连接； 所述衬底包括相对设置的第一面和第二面，所述掺杂阱位于所述第一面中；所述中环结构包括第一中环结构和第二中环结构； 其中，所述第一中环结构设置于所述衬底第一面的第一介质层中； 所述第二中环结构设置于所述衬底第二面的第二介质层中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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