清华大学甘霖获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111235384.1，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法是由甘霖;张聃旸;宁存政设计研发完成，并于2021-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法，依次包括以下步骤：清洗衬底片；用机械剥离法将hBN材料转移到衬底片上；紫外臭氧机处理；飞秒激光脉冲加工hBN材料；紫外臭氧机处理；退火处理。本发明涉及的利用六方氮化硼制备单光子源的方法基于飞秒激光脉冲工艺实现高效率的空间位置可控的单光子源的制作，加工制备的单光子源的具有亮度高、纯度高及室温工作的特性，且不需要较高的生产成本。
本发明授权一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用六方氮化硼制备单光子源的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将带有hBN材料的衬底片放进紫外臭氧机中处理； 2采用飞秒激光脉冲对步骤1处理完成的所述hBN材料进行辐照，通过同时调节激光重频以及二维移动平台移动速度以调整加工速度，移动所述二维移动平台以定点制作缺陷或阵列批量单光子源，在所述步骤2中通过调整激光参数以得到不同发射特性的所述单光子源，所述激光参数包括激光单脉冲能量和辐照脉冲数，所述辐照脉冲数为1-5个脉冲，所述激光重频小于1000Hz； 3将步骤2中激光脉冲辐照完成的所述hBN材料放进紫外臭氧机中处理； 4将步骤3处理完成的所述hBN材料放进退火炉中退火处理，所述退火炉的温度为700-1000℃，所述退火炉的温度上升和下降的速率为10-30℃min。
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