上海华力集成电路制造有限公司江辉云获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利NMOS晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111226236.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权NMOS晶体管的制备方法是由江辉云;胡书怀;张志诚设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本NMOS晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种NMOS晶体管的制备方法，包括：提供一形成有浅沟槽隔离结构和P型阱区的衬底，所述衬底上形成有栅极结构和第一侧墙；在所述第一侧墙两侧的所述P型阱区中注入锗离子以形成硅锗区；形成缓冲层；形成应力层；执行退火工艺以在沟道区中产生应力记忆；去除所述应力层和所述缓冲层以及形成第二侧墙。本申请通过在形成第二侧墙之前，形成缓冲层、形成应力层并执行退火工艺上述三个步骤为SMT工艺以在沟道区中产生应力记忆，可以减小所述应力层距离该沟道区的距离，使得沟道区产生更多的应力记忆，增强SMT工艺对NMOS晶体管的应力提升效应，加快NMOS晶体管的载流子迁移率，从而提高NMOS器件的速度。
本发明授权NMOS晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种NMOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中形成有多个浅沟槽隔离结构和位于所述浅沟槽隔离结构之间的P型阱区，所述衬底上形成有栅极结构和位于所述栅极结构侧的第一侧墙； 以所述第一侧墙为掩膜，在所述第一侧墙两侧的所述P型阱区中注入锗离子以形成硅锗区； 形成缓冲层，所述缓冲层覆盖所述栅极结构、所述第一侧墙、所述硅锗区和所述浅沟槽隔离结构； 形成应力层，所述应力层覆盖所述缓冲层； 执行退火工艺以在所述硅锗区和部分P型阱区中产生应力记忆； 去除所述应力层和所述缓冲层； 形成第二侧墙，所述第二侧墙位于所述第一侧墙侧；以及， 形成保护层，所述保护层覆盖所述第二侧墙侧的所述硅锗区和所述浅沟槽隔离结构。
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