长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种存储器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996560B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111205695.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种存储器及其制造方法是由刘志拯设计研发完成，并于2021-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种存储器及其制造方法。存储器包括：衬底；多条位线，多条位线位于衬底上，多条位线相互平行且沿第一方向延伸；多个有源柱体，有源柱体位于位线上，且有源柱体的底端部连接至位线；多条字线，多条字线相互平行且沿第二方向延伸，字线环绕有源柱体的外侧壁，且有源柱体的顶端外露于字线，有源柱体与字线共同构成存储器的立式存储晶体管；多个电容以及多个连接垫，电容位于有源柱体上方，连接垫位于有源柱体与电容之间，用于电连接有源柱体与电容；其中，第一方向与第二方向相互垂直，多个有源柱体呈六方阵列排布方式。
本发明授权一种存储器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底； 多条位线，所述多条位线位于所述衬底上，所述多条位线相互平行且沿第一方向延伸； 多个有源柱体，所述有源柱体位于所述位线上，且所述有源柱体的底端部连接至所述位线； 多条字线，所述多条字线相互平行且沿第二方向延伸，所述字线环绕所述有源柱体的外侧壁，且所述有源柱体的顶端外露于所述字线，所述有源柱体与所述字线共同构成所述存储器的立式存储晶体管； 多个电容以及多个连接垫，所述电容位于所述有源柱体上方，所述连接垫位于所述有源柱体与所述电容之间，用于电连接所述有源柱体与所述电容； 其中，所述第一方向与所述第二方向相互垂直，所述多个有源柱体呈六方阵列排布方式； 在沿第三方向的投影中，所述有源柱体的中心与所述位线的中轴线之间存在偏移，且同一条位线上相邻的两个所述有源柱体的中心相对于该条位线的中轴线的偏移方向相反，其中，所述第三方向垂直于所述第一方向和所述第二方向，所述位线的中轴线为所述位线的沿所述第一方向延伸的中轴线。
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