深圳市晶相技术有限公司;广东晶相光电科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司陈卫军获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市晶相技术有限公司;广东晶相光电科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司申请的专利一种半导体外延结构及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113808980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111134057.7，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权一种半导体外延结构及其应用是由陈卫军设计研发完成，并于2021-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体外延结构及其应用在说明书摘要公布了：本发明提出一种半导体外延结构及其应用，衬底；第一半导体层，设置在所述衬底上；有源层，设置在所述第一半导体层上；第二半导体层，设置在所述有源层上；以及空穴注入层，设置在所述第二半导体层上，且所述空穴注入层包括非或低掺杂的氮化镓层，和或掺杂的氮化镓层。通过本发明提供的一种半导体外延结构，可提高所述半导体外延结构的质量。
本发明授权一种半导体外延结构及其应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体外延结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一半导体层，设置在所述衬底上； 有源层，设置在所述第一半导体层上； 第二半导体层，设置在所述有源层上；以及 空穴注入层，设置在所述第二半导体层上，且所述空穴注入层包括非或低掺杂的氮化铟镓层，和或掺杂的氮化铟镓层，且所述空穴注入层包括Inx1Gay1N、Inx2Gay2N和 Inx3Gay3N，且X3X2X1≤1； 其中，所述空穴注入层包括第一掺杂层和第二掺杂层，所述第二掺杂层位于所述第一掺杂层上，且所述第一掺杂层的掺杂浓度小于所述第二掺杂层的掺杂浓度； 其中，所述第一掺杂层的厚度为所述第二掺杂层厚度的40％～50％ 其中，所述空穴注入层还包括第三掺杂层，且所述第三掺杂层位于所述第二掺杂层上，且所述第三掺杂层的浓度大于所述第二掺杂层的掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市晶相技术有限公司;广东晶相光电科技有限公司;苏州辰华半导体技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市坪山区坪山街道六和社区招商花园城17栋S1704；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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