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龙图腾网获悉天津大学申请的专利降低暗电流和噪声的有源像素装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111113955.4，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权降低暗电流和噪声的有源像素装置是由徐江涛;舒刘琴;聂凯明;高志远;高静设计研发完成，并于2021-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本降低暗电流和噪声的有源像素装置在说明书摘要公布了：本发明涉及互补金属氧化物半导体CMOS图像传感器像素技术，为实现电荷传输通道与传输栅沟道表面的分离，在保证电荷转移效率的前提下减小暗电流。为此，本发明采取的技术方案是，降低暗电流和噪声的有源像素装置，包含光电探测器PD、传输栅TG、复位管RST、源极跟随器SF和行选通管SEL，其中TG负责将PD内收集到的光电子转移到电荷‑电压转换节点FD，复位管RST可以对FD和PD进行复位操作，SF负责将FD节点的电压信号缓冲出去，SEL管在行选信号到来时将某一行选通，传输栅TG下方加入一层N型离子注入，形成一层薄的N型区域。本发明主要应用于互补金属氧化物半导体图像传感器像素设计制造场合。

本发明授权降低暗电流和噪声的有源像素装置在权利要求书中公布了：1.一种降低暗电流和噪声的有源像素装置，其特征是，包含光电探测器PD、传输栅TG、复位管RST、源极跟随器SF和行选通管SEL，其中TG负责将PD内收集到的光电子转移到电荷-电压转换节点FD，复位管RST对FD和PD进行复位操作，SF负责将FD节点的电压信号缓冲出去，SEL管在行选信号到来时将某一行选通，传输栅TG下方加入一层N型离子注入，形成一层薄的N型区域；其中，在靠近光电二极管一侧传输栅TG下N型离子的注入，通过设置掩膜版的位置，使其N型离子注入与光电二极管的N型注入之间有一定的距离，在注入该N型区域的同时，也会通过该距离来调节CPX层的注入位置，CPX层为P型离子注入层，在靠近电荷-电压转换节点一侧的传输栅，同样通过设置掩膜版的位置，使其N型离子注入超出传输栅，能够与右侧的FD节点区域连接上，从而消除由于传输栅侧墙的存在而造成的栅下势垒的影响；其注入的最佳位置距离传输栅左侧边缘为0.2um，超出传输栅右侧边缘0.1～0.2um。

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