上海华力集成电路制造有限公司王朝辉获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948442B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111097854.2，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王朝辉;程显彬;何志斌设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成有IO阱区和浅沟槽隔离结构；刻蚀所述IO阱区和部分所述浅沟槽隔离结构以形成沟槽；以及在所述沟槽中填充栅氧结构，其中，所述栅氧结构包括：第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层。本发明还提供一种半导体器件，包括：衬底和三明治式的栅氧结构。本申请通过在衬底中的所述IO阱区和部分所述浅沟槽隔离结构上形成下沉式的栅氧结构，以及采用依次生长第一氧化层、第二氧化层和第三氧化层的工艺得到三明治式的栅氧结构的方式，在改善降低中压器件中的栅氧结构高度的同时，消除栅氧结构的corner空洞缺陷，从而提高了中压器件的性能和可靠性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，所述衬底中形成有IO阱区和位于所述IO阱区两侧的浅沟槽隔离结构； 利用光刻工艺打开所述IO阱区表面和所述浅沟槽隔离结构的部分表面； 刻蚀所述IO阱区和所述浅沟槽隔离结构以形成沟槽；以及， 形成栅氧结构，所述栅氧结构填充所述沟槽； 其中，形成所述栅氧结构的步骤包括： 采用ISSG工艺形成第一氧化层，所述第一氧化层覆盖所述沟槽的底壁； 采用炉管高温氧化工艺形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述第一氧化层； 采用ALD工艺形成第三氧化层，所述第三氧化层覆盖所述第二氧化层的表面和所述浅沟槽隔离结构的剩余表面； 去除所述浅沟槽隔离结构的剩余表面上的所述第三氧化层。
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