京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司梁魁获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司申请的专利金属网格阵列及其制备方法、薄膜传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116137874B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002605.2，技术领域涉及：C23C18/16；该发明授权金属网格阵列及其制备方法、薄膜传感器及其制备方法是由梁魁;曲峰设计研发完成，并于2021-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本金属网格阵列及其制备方法、薄膜传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种金属网格阵列及其制备方法、薄膜传感器及其制备方法，属于电子器件技术领域。本公开的金属网格阵列的制备方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成第一金属层，作为种子层；在种子层背离衬底基板的一侧形成第一层间介质层；第一层间介质层包括位于工作区且交叉设置的多个第一凹槽结构和多个第二凹槽结构；对种子层进行电镀工艺，形成位于第一凹槽结构的第一金属线和位于第二凹槽结构中的第二金属线；各工作区中的第一金属线和第二金属线交叉设置形成多个金属网格。
本发明授权金属网格阵列及其制备方法、薄膜传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属网格阵列的制备方法，所述金属网格阵列包括多个工作区和多个冗余区；所述工作区和所述冗余区在第一方向和第二方向均交替设置；其中，所述制备方法包括： 提供一衬底基板； 在所述衬底基板上形成第一金属层，作为种子层； 在所述种子层背离所述衬底基板的一侧形成第一层间介质层；所述第一层间介质层包括位于所述工作区、且交叉设置的多个第一凹槽结构和多个第二凹槽结构； 对所述种子层进行电镀工艺，形成位于所述第一凹槽结构的第一金属线和位于第二凹槽结构中的第二金属线；各所述工作区中的所述第一金属线和所述第二金属线交叉设置形成多个金属网格； 剥离衬底基板； 将位于所述第一层间介质层的所述第一凹槽结构和所述第二凹槽结构外的所述种子层材料去除，并保留所述第一层间介质层； 形成所述第一层间介质层的步骤包括： 通过硬掩模曝光工艺和电感耦合等离子刻蚀工艺组合，或纳米压印工艺和电感耦合等离子刻蚀工艺组合在所述第一层间介质层上形成位于所述工作区、且交叉设置的多个所述第一凹槽结构和多个所述第二凹槽结构。
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