长鑫存储技术有限公司刘志拯获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115835622B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111094836.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体结构及其制作方法是由刘志拯设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；互连结构，互连结构包括第一结构和第二结构，第二结构凸出于第一结构；其中，第一结构与衬底相连，第二结构与栅极结构的顶部相连。本申请的互连结构与衬底和栅极结构相接触，可以减少互连结构占用体积，增大互连密度，提高互连工艺窗口。
本发明授权一种半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 包括： 衬底； 位于所述衬底上的栅极结构； 互连结构，所述互连结构包括第一结构和第二结构，所述第二结构凸出于所述第一结构； 其中，所述第一结构与所述衬底相连，所述第二结构与所述栅极结构的顶部相连； 电容接触垫，所述电容接触垫的刻蚀底部与所述第二结构的顶表面齐平；所述电容接触垫的顶表面与所述第一结构的顶表面齐平。
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