长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111095209.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制造方法是由卢经文设计研发完成，并于2021-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种半导体结构的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成第一沟槽；其中，所述第一沟槽贯穿至少两个晶体管的导电沟道；至少部分所述导电沟道位于所述第一沟槽的底部；相邻的所述导电沟道之间具有氧化层；所述导电沟道在所述第一沟槽内相对于所述氧化层具有凸起结构；通过在所述第一沟槽底部进行刻蚀，调整每个所述导电沟道的所述凸起结构在所述第一沟槽底部的形状，使所述凸起结构具有至少两个凸出部；在所述第一沟槽内形成栅极结构。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 在半导体衬底上形成第一沟槽；其中，所述第一沟槽贯穿至少两个晶体管的导电沟道；至少部分所述导电沟道位于所述第一沟槽的底部；相邻的所述导电沟道之间具有氧化层；所述导电沟道在所述第一沟槽内相对于所述氧化层具有凸起结构； 通过在所述第一沟槽底部进行刻蚀，调整每个所述导电沟道的所述凸起结构在所述第一沟槽底部的形状，使所述凸起结构具有至少两个凸出部； 在所述第一沟槽内形成栅极结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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