长鑫存储技术有限公司卢经文获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133396B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111085578.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构是由卢经文设计研发完成，并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构。其中，所述方法包括：提供基底，所述基底包括沿第一方向延伸，且沿第二方向排列的位线沟槽；在所述位线沟槽内形成位线结构；刻蚀形成有所述位线结构的所述基底，形成与所述位线结构对应的有源区；其中：每一列沿第一方向排列的所述有源区内包括沿第三方向延伸的有源区，所述第一方向、第二方向和所述第三方向位于同一平面内，且所述第二方向和第三方向分别与所述第一方向具有第一预设夹角和第二预设夹角。
本发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括沿第一方向延伸，且沿第二方向排列的位线沟槽； 在所述位线沟槽内形成位线结构； 刻蚀形成有所述位线结构的所述基底，形成与所述位线结构对应的有源区；其中： 每一列沿第一方向排列的所述有源区内包括沿第三方向延伸的有源区，所述第一方向、第二方向和所述第三方向位于同一平面内，且所述第二方向和第三方向分别与所述第一方向具有第一预设夹角和第二预设夹角。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号