长鑫存储技术有限公司吴双双获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构、存储器及裂纹测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810612B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111084056.6，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体结构、存储器及裂纹测试方法是由吴双双设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、存储器及裂纹测试方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体结构、存储器及裂纹测试方法，所述半导体结构包括：穿硅通孔，贯穿基底；保护结构，包括：导电的第一测试环和导电的第二测试环，均围绕所述穿硅通孔设置，且与所述穿硅通孔电绝缘；第一介质层，位于所述第一测试环和所述第二测试环之间，用于电隔离所述第一测试环和所述第二测试环；第一连接层，位于所述第一介质层内，电连接所述第一测试环和所述第二测试环。
本发明授权半导体结构、存储器及裂纹测试方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 穿硅通孔，贯穿基底； 保护结构，包括： 导电的第一测试环和导电的第二测试环，均围绕所述穿硅通孔设置，且与所述穿硅通孔电绝缘； 第一介质层，位于所述第一测试环和所述第二测试环之间，用于电隔离所述第一测试环和所述第二测试环； 第一连接层，位于所述第一介质层内，电连接所述第一测试环和所述第二测试环。
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