长鑫存储技术有限公司吴小飞获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利穿硅通孔裂纹检测电路、检测方法及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810613B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111084130.4，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权穿硅通孔裂纹检测电路、检测方法及存储器是由吴小飞设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本穿硅通孔裂纹检测电路、检测方法及存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种穿硅通孔裂纹检测电路、检测方法及存储器。其中，所述穿硅通孔裂纹检测电路包括：裂纹检测线，围绕所述穿硅通孔设置；所述穿硅通孔贯穿M个互连的金属层；所述裂纹检测线的数量包括M‑1个，M‑1个裂纹检测线分别位于所述M个金属层中除顶部金属层外的每层；所述M为大于1的正整数；第一触点，位于所述顶部金属层，且通过所述M个互连的金属层与所述M‑1个裂纹检测线中的至少一个裂纹检测线连接的第一位置上；以及第二触点，位于所述顶部金属层，且与所述M‑1个裂纹检测线连接的第二位置上；其中，根据所述第一触点及所述第二触点之间的电阻，确定所述穿硅通孔周围是否存在裂纹。
本发明授权穿硅通孔裂纹检测电路、检测方法及存储器在权利要求书中公布了：1.一种穿硅通孔裂纹检测电路，其特征在于，包括： 裂纹检测线，围绕所述穿硅通孔设置；所述穿硅通孔贯穿M个互连的金属层；所述裂纹检测线的数量包括M-1个，M-1个裂纹检测线分别位于所述M个金属层中除顶部金属层外的每层；所述M为大于1的正整数； 第一触点，位于所述顶部金属层，且通过所述M个互连的金属层与所述M-1个裂纹检测线中的至少一个裂纹检测线连接的第一位置上；以及 第二触点，位于所述顶部金属层，且与所述M-1个裂纹检测线连接的第二位置上；其中，根据所述第一触点及所述第二触点之间的电阻，确定所述穿硅通孔周围是否存在裂纹；其中， 所述M-1个裂纹检测线在预设平面的投影形状为错移多边形，不同所述裂纹检测线之间的错移的角度相同或不同；所述预设平面与所述穿硅通孔的延伸方向垂直。
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