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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种信号屏蔽电路以及半导体存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115798539B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111064019.9，技术领域涉及：G11C11/407；该发明授权一种信号屏蔽电路以及半导体存储器是由李思曼设计研发完成，并于2021-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种信号屏蔽电路以及半导体存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种信号屏蔽电路以及半导体存储器，该信号屏蔽电路包括接收电路、延时控制电路和逻辑运算电路；其中，接收电路，用于接收待处理信号和片选信号，输出初始处理信号和初始片选信号；延时控制电路，用于对所述初始片选信号进行延时以及逻辑控制操作，得到片选屏蔽信号，且所述片选屏蔽信号的脉冲宽度大于或等于两个预设时钟周期；逻辑运算电路，用于根据所述片选屏蔽信号对所述初始处理信号进行无效屏蔽处理，得到目标信号。这样，可以在保证DRAM不会丢失有效信息的同时，还能够最大程度地避免电流浪费，达到节省功耗的目的。

本发明授权一种信号屏蔽电路以及半导体存储器在权利要求书中公布了：1.一种信号屏蔽电路，其特征在于，所述信号屏蔽电路包括接收电路、延时控制电路和逻辑运算电路；其中， 所述接收电路，用于接收待处理信号和片选信号，输出初始处理信号和初始片选信号； 所述延时控制电路，用于对所述初始片选信号进行延时以及逻辑控制操作，得到片选屏蔽信号，且所述片选屏蔽信号的脉冲宽度大于或等于两个预设时钟周期； 所述逻辑运算电路，用于根据所述片选屏蔽信号对所述初始处理信号进行无效屏蔽处理，得到目标信号； 所述延时控制电路包括延时模块、脉宽调整模块、第一反相器和第一或门；其中， 所述第一反相器，用于对所述初始片选信号进行反相处理，得到第一中间信号； 所述延时模块，用于对所述初始片选信号进行延时处理，得到第二中间信号； 所述脉宽调整模块，用于对所述第二中间信号进行脉宽拓展处理，得到第三中间信号； 所述第一或门，与所述第一反相器的输出端和所述脉宽调整模块的输出端连接，用于对所述第一中间信号和所述第三中间信号进行或运算，得到所述片选屏蔽信号； 所述延时模块包括第一延时单元、第二延时单元和第二反相器，且所述第二反相器处于所述第一延时单元和所述第二延时单元之间；其中， 所述第一延时单元，用于对所述初始片选信号进行第一延时处理，得到第一延时信号； 所述第二反相器，用于对所述第一延时信号进行反相处理，得到反相延时信号； 所述第二延时单元，用于对所述反相延时信号进行第二延时处理，得到所述第二中间信号； 所述第一延时单元和所述第二延时单元均是由电阻R和电容C组成。

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