买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三菱电机株式会社申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111059571.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由高桥彻雄;藤井秀纪;本田成人设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：目的在于，提供改善了二极管动作时的恢复损耗和正向电压降之间的权衡关系的反向导通IGBT。第1复合区域至少设置于第6半导体层中的第7半导体层的第2主面侧且与第7半导体层在俯视观察时重叠的区域。

本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其将晶体管和二极管形成于共通的半导体基体， 在该半导体装置中， 所述半导体基体具有： 作为一个主面及另一个主面的第1主面及第2主面； 晶体管区域，其形成有所述晶体管；以及 二极管区域，其形成有所述二极管， 所述晶体管区域具有： 第1导电型的第1半导体层，其设置于所述半导体基体的所述第2主面侧； 第2导电型的第2半导体层，其设置于所述第1半导体层之上； 第1导电型的第3半导体层，其与所述第2半导体层相比设置于所述半导体基体的所述第1主面侧； 第2导电型的第4半导体层，其设置于所述第3半导体层之上； 第2电极，其与所述第4半导体层电连接；以及 第1电极，其与所述第1半导体层电连接， 所述二极管区域具有： 第2导电型的第5半导体层，其设置于所述半导体基体的所述第2主面侧； 所述第2半导体层，其设置于所述第5半导体层之上； 第1导电型的第6半导体层，其与所述第2半导体层相比设置于所述半导体基体的所述第1主面侧； 第1导电型的第7半导体层，其设置于所述第6半导体层之上，第1导电型的杂质浓度比所述第6半导体层高； 所述第2电极，其与所述第7半导体层电连接；以及 所述第1电极，其与所述第5半导体层电连接， 第1复合区域至少设置于所述第6半导体层中的所述第7半导体层的所述第2主面侧且与所述第7半导体层在俯视观察时重叠的区域， 所述二极管区域通过从所述半导体基体的所述第1主面侧的表面到达所述第2半导体层的沟槽栅极而划分为多个单位单元区域， 所述二极管区域中的与所述晶体管区域相邻的所述单位单元区域中的所述第1复合区域的俯视观察时的面积相对于将所述第6半导体层和所述第7半导体层合并后的区域的俯视观察时的面积的比率，比所述二极管区域中的与所述晶体管区域不相邻的所述单位单元区域中的所述第1复合区域的俯视观察时的面积相对于将所述第6半导体层和所述第7半导体层合并后的区域的俯视观察时的面积的比率高。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。