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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利译码驱动电路及存储芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115731980B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110981627.X，技术领域涉及：G11C8/10；该发明授权译码驱动电路及存储芯片是由尚为兵;武贤君;李明浩设计研发完成，并于2021-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本译码驱动电路及存储芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及一种译码驱动电路及存储芯片，译码驱动电路包括多个子驱动单元及译码控制模块，所述子驱动单元用于根据电源电压信号、第一译码输入信号和中间译码输出信号生成主字线驱动信号；所述译码控制模块与多个所述子驱动单元连接，用于根据使能控制信号及第二译码输入信号生成所述中间译码输出信号；其中，在所述中间译码输出信号为第一状态期间，所述主字线驱动信号为不驱动状态。本申请能够在不减少存储阵列区的存储容量的前提下，减小行译码电路中译码驱动电路的体积，以有效减小半导体存储芯片外围电路区的体积，从而能够相对提高半导体存储芯片单位面积的存储容量。

本发明授权译码驱动电路及存储芯片在权利要求书中公布了：1.一种译码驱动电路，其特征在于， 包括： 多个子驱动单元，用于根据电源电压信号、第一译码输入信号和中间译码输出信号生成主字线驱动信号； 译码控制模块，所述译码控制模块与多个所述子驱动单元连接，用于根据使能控制信号及第二译码输入信号生成所述中间译码输出信号； 其中，在所述中间译码输出信号为第一状态期间，所述主字线驱动信号为不驱动状态； 所述子驱动单元包括： 第一晶体管，被配置为：源极与所述电源电压信号连接，栅极与所述第一译码输入信号连接； 第二晶体管，被配置为：源极与所述电源电压信号连接，栅极与所述中间译码输出信号连接； 第三晶体管，被配置为：源极与所述译码控制模块连接，漏极与所述第一晶体管的漏极及所述第二晶体管的漏极均连接，栅极与所述第一晶体管的栅极及所述第一译码输入信号均连接； 所述使能控制信号包括第一使能控制信号及第二使能控制信号；所述译码控制模块包括： 第一反相器，被配置为：电源端与第一电源连接，输出端与所述第二晶体管的栅极连接； 第四晶体管，被配置为：源极接地，漏极与所述第三晶体管的源极连接，栅极与所述第二晶体管的栅极及所述第一反相器的输出端均连接； 第五晶体管，被配置为：源极与所述第一电源连接，漏极与所述第一反相器的输入端连接，栅极与所述第一反相器的输出端及所述第二晶体管的栅极均连接； 第六晶体管，被配置为：源极与所述第一电源连接，漏极与所述第一反相器的输入端及所述第五晶体管的漏级均连接，栅极与所述第一使能控制信号连接； 第七晶体管，被配置为：源极与第二译码信号接收单元连接，漏极与所述第六晶体管的漏极及所述第一反相器的输入端均连接，栅极与所述第二使能控制信号连接。

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