长鑫存储技术有限公司范增焰获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115708189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110959656.6，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法是由范增焰设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，提出了一种半导体结构及半导体结构的制作方法。半导体结构的制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成第一金属层；在第一绝缘层上形成第二绝缘层，且将第一金属层埋设于第二绝缘层内；对第二绝缘层的上表面进行预处理，以平坦化第二绝缘层；在平坦化的第二绝缘层的上表面形成第二金属层。在形成第二金属层之前，通过对第二绝缘层的上表面进行预处理，保证第二绝缘层的上表面具有较高的平整度，以此保证后续在第二绝缘层的上表面形成的第二金属层底部趋于水平，以此改善形成的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成第一绝缘层； 在所述第一绝缘层上形成第一金属层； 在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层，且将所述第一金属层埋设于所述第二绝缘层内； 对所述第二绝缘层的上表面进行预处理，以平坦化所述第二绝缘层，具体包括：去除所述第二绝缘层的部分以在所述第二绝缘层上形成凹槽，所述凹槽与所述第一金属层直接相对，且所述凹槽避免暴露所述第一金属层； 在平坦化的所述第二绝缘层的上表面形成第二金属层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号