长鑫存储技术有限公司张黎获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116133373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110958168.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制备方法是由张黎设计研发完成，并于2021-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。半导体结构的制备方法，包括：提供基底；于基底中形成沟槽；在压力为500～800托的环境下，进行第一热氧化反应形成第一氧化层于沟槽的底部及侧壁，第一氧化层的厚度沿靠近底部的方向逐渐减小。该方法得到的氧化层的厚度沿沟槽的边沿向沟槽的底部方向逐渐减小，使得沟槽内部的氧化层呈阶梯覆盖。由于，沟槽的侧壁和底部形成了厚度不同的氧化层，该较厚的侧壁可以降低栅极漏电，较薄的底部可以加强栅极的控制能力，因此，该方法可以提高半导体结构的可靠性，提高产品良率。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底； 于所述基底中形成沟槽； 在压力为500~800托的环境下，进行第一热氧化反应形成第一氧化层于所述沟槽的底部及侧壁，所述第一氧化层的厚度沿靠近所述底部的方向逐渐减小； 于所述第一氧化层上，进行预设压力的第二热氧化反应形成第二氧化层，所述预设压力小于第一热氧化反应的反应压力；所述第一氧化层与所述第二氧化层的厚度比的范围为14至23。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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