长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院邵光速获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司;北京超弦存储器研究院申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110957060.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制造方法是由邵光速;肖德元;邱云松设计研发完成，并于2021-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成沿第一方向延伸的多条第一沟槽；在形成有第一沟槽的衬底上形成沿第二方向延伸的多条第二沟槽；第一方向与第二方向垂直；第一沟槽的第一深度大于第二沟槽的第二深度；在第一沟槽和第二沟槽内形成第一隔离层；在第二方向的截面上，第一隔离层与第一沟槽两侧的侧壁之间分别具有第一缝隙；第一缝隙的深度小于第一深度；在第一沟槽两侧的第一缝隙的底部沉积第一导电材料的导电层，形成两条相互平行且沿第一方向延伸的位线；在第一沟槽和第二沟槽内、导电层上形成沿第二方向延伸的字线。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件包括衬底；所述方法包括： 在所述衬底上形成沿第一方向延伸的多条第一沟槽； 在形成有所述第一沟槽的所述衬底上形成沿第二方向延伸的多条第二沟槽；所述第一方向与所述第二方向垂直；所述第一沟槽的第一深度大于所述第二沟槽的第二深度； 在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成第一隔离层；在第二方向的截面上，所述第一隔离层与所述第一沟槽两侧的侧壁之间分别具有第一缝隙；所述第一缝隙的深度小于所述第一深度； 在所述第一沟槽两侧的所述第一缝隙的底部沉积第一导电材料的导电层，形成两条相互平行且沿所述第一方向延伸的位线； 在所述第一沟槽和第二沟槽内、所述导电层上形成沿所述第二方向延伸的字线。
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