台湾积体电路制造股份有限公司萧琮介获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114079002B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110868449.X，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权半导体器件及其形成方法是由萧琮介;吕勃陞;温伟志;王良玮;王郁仁;陈殿豪;陈燕铭设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：半导体器件包括：底部电极；位于底部电极上方的磁隧道结MTJ元件；位于MTJ元件上方的顶部电极；以及邻接MTJ元件的侧壁间隔件，其中底部电极、顶部电极和侧壁间隔件中的至少一个包括磁性材料。本发明的实施例还涉及半导体器件的形成方法。
本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 底部电极； 磁隧道结元件，位于所述底部电极上方； 顶部电极，位于所述磁隧道结元件上方；以及 侧壁间隔件，邻接所述磁隧道结元件，其中，所述顶部电极包括第一导电层和第一阻挡层，其中，所述第一阻挡层包括第一子层、位于所述第一子层上的第二子层以及位于所述第二子层上的第三子层，其中，所述第一子层、第二子层和所述第三子层的每个设置在第一导电层的底面和两个侧壁表面上，其中，所述第二子层包括磁性材料。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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